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IRG4PH40UD2PBF中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRG4PH40UD2PBF
廠商型號

IRG4PH40UD2PBF

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

268.07 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-12 20:00:00

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IRG4PH40UD2PBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? UltraFast: Optimized for high operating

frequencies up to 40 kHz in hard switching,

>200 kHz in resonant mode

? New IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generations

? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,

ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in

bridge configurations

? Industry standard TO-247AC package

? Lead-Free

Benefits

? Higher switching frequency capability than

competitive IGBTs

? Highest efficiency available

? HEXFRED diodes optimized for performance with

IGBTs . Minimized recovery characteristics require

less/no snubbing

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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