IRG4PH50K分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4PH50K |
| 參數(shù)屬性 | IRG4PH50K 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 45A 200W TO247AC |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A) |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
92.62 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-11 23:01:00 |
| 人工找貨 | IRG4PH50K價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRG4PH50K規(guī)格書詳情
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
特性 Features
●High short circuit rating optimized for motor control, tsc=10μs, VCC = 720V, TJ= 125°C, VGE= 15V
●Combines low conduction losses with high switching speed
●Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
Benefits
●As a Freewheeling Diode we recommend our HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery diodes for minimum EMI/Noise and switching losses in the Diode and IGBT
●Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
●This part replaces the IRGPH50K and IRGPH50M devices
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4PH50KPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，24A
- 開關(guān)能量：
1.21mJ（開），2.25mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
36ns/200ns
- 測試條件：
960V，24A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
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