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IRG4PH40UD2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4PH40UD2 |
| 參數(shù)屬性 | IRG4PH40UD2 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 41A TO247AD |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
248.84 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-13 20:00:00 |
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IRG4PH40UD2規(guī)格書詳情
特性 Features
? UltraFast: Optimized for medium operating
frequencies up to 40 kHz in hard switching,
>200 kHz in resonant mode
? New IGBT design provides tighter
parameter distribution and higher efficiency than
previous generations
? IGBT co-packaged with HEXFRED? ultrafast,
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in
bridge configuration
? Industry standard TO-247AC package
Benefits
? Higher switching frequency capability than
competitive IGBTs
? Highest efficiency available
? HEXFRED diodes optimized for performance with
IGBTs. Minimized revoery characteristics requires
less/no snubbing.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4PH40UD2-EP
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
3.1V @ 15V，21A
- 開關能量：
1.95mJ（開），1.71mJ（關）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關）值：
22ns/100ns
- 測試條件：
800V，21A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應商器件封裝：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 41A TO247AD
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
22+ |
TO-247 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
IR(國際整流器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
IR |
1305+ |
TO-3P |
140 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
IR |
2018+ |
TO-247 |
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IR |
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IR |
23+ |
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IR |
247 |
13 |
42 |
詢價 | |||
IR |
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TO-3P |
4000 |
只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來電查詢15919825718 |
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