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IRG4BC10SPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

IRG4BC10SPBF
廠商型號(hào)

IRG4BC10SPBF

參數(shù)屬性

IRG4BC10SPBF 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A 38W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-220-3

文件大小

266.81 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 International Rectifier
企業(yè)簡(jiǎn)稱

IRF

中文名稱

International Rectifier官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-6 15:22:00

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IRG4BC10SPBF規(guī)格書詳情

特性 Features

? Extremely low voltage drop; 1.1V typical at 2A

? S-Speed: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4

KHz in brushless DC drives, up to 2KHz in Chopper Applications

? Very Tight Vce(on) distribution

? Industry standard TO-220AB package

? Lead-Free

Benefits

? Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available

? IGBTs optimized for specified application conditions

? Lower conduction losses than many Power MOSFETs

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    IRG4BC10SPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,8A

  • 開關(guān)能量:

    140μJ(開),2.58mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    25ns/630ns

  • 測(cè)試條件:

    480V,8A,100 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 14A 38W TO220AB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
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