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IRG4BC10SD-S中文資料IRF數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

IRG4BC10SD-S
廠商型號(hào)

IRG4BC10SD-S

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A)

文件大小

217.3 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

IRF

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-6 17:39:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    IRG4BC10SD-S

  • 功能描述:

    DIODE IGBT 600V 14A D2PAK

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路

  • 系列:

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    30

  • 系列:

    GenX3™ IGBT

  • 類型:

    PT 電壓 -

  • 集電極發(fā)射極擊穿(最大):

    1200V Vge,

  • Ic時(shí)的最大Vce(開):

    3V @ 15V,100A 電流 -

  • 集電極(Ic)(最大):

    200A 功率 -

  • 最大:

    830W

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PLUS247?-3

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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