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IRG4BC10KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
IRG4BC10KD |
參數(shù)屬性 | IRG4BC10KD 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 9A 38W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
封裝外殼 | TO-220-3 |
文件大小 |
210.57 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | IRF |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-6 23:00:00 |
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IRG4BC10KD規(guī)格書詳情
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
特性 Features
? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V
? Combines low conduction losses with high switching speed
? Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes
Benefits
? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
IRG4BC10KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.62V @ 15V,5A
- 開關(guān)能量:
250μJ(開),140μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
49ns/97ns
- 測(cè)試條件:
480V,5A,100 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 9A 38W TO220AB
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3358 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票 |
詢價(jià) | ||
IR |
25+ |
TO220 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
IR |
12 |
TO-220 |
49 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
IR |
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詢價(jià) | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
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只做原裝正品現(xiàn)貨 歡迎來(lái)電查詢15919825718 |
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VISH |
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
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Infineon Technologies |
25+ |
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詢價(jià) |