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IRG4BC10KDPBF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
IRG4BC10KDPBF |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC10KDPBF 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 9A 38W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
265.66 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找貨 | IRG4BC10KDPBF價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
IRG4BC10KDPBF規(guī)格書詳情
Short Circuit Rated UltraFast IGBT
特性 Features
? High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10μs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V
? Combines low conduction losses with high switching speed
? Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations
? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes
? Lead-Free
Benefits
? Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible
? HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
IRG4BC10KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.62V @ 15V，5A
- 開關(guān)能量：
250μJ（開），140μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
49ns/97ns
- 測試條件：
480V，5A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 9A 38W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR(國際整流器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
IR |
25+ |
TO220 |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
IR |
0947+ |
TO220 |
500 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
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ir |
23+ |
NA |
4111 |
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VISH |
23+ |
SOP8 |
4603 |
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
TO-220-3 |
9350 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
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IR |
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IR |
24+ |
TO-220-3 |
46 |
詢價 |
