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IRG4BC10SD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
IRG4BC10SD |
| 參數(shù)屬性 | IRG4BC10SD 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 14A 38W TO220AB |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
313.96 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | IRF |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找貨 | IRG4BC10SD價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
IRG4BC10SD規(guī)格書詳情
Standard Speed CoPack IGBT
特性 Features
? Extremely low voltage drop 1.1Vtyp. @ 2A
? S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives.
? Very Tight Vce(on) distribution
? IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations
? Industry standard TO-220AB package
Benefits
? Generation 4 IGBTs offer highest efficiencies available
? IGBTs optimized for specific application conditions
? HEXFRED diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics require less/no snubbing
? Lower losses than MOSFETs conduction and Diode losses
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
IRG4BC10SD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
- 開關(guān)能量：
310μJ（開），3.28mJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
76ns/815ns
- 測(cè)試條件：
480V，8A，100 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 14A 38W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
26 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
20+ |
TO-220 |
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原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
IR |
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TO-220 |
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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