FET 類型 N 通道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 260mA（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻 2.5 歐姆 @ 240mA，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th) 2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg) 0.81 nC @ 5 V

Vgs ±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss) 26.7 pF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散 300mW（Tj）

工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）

等級(jí) -

資質(zhì) -

安裝類型 表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）