FET 類型 N 通道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 50 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 170mA

驅(qū)動(dòng)電壓（Rds On，Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻 3 歐姆 @ 500mA，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th) 1.6V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg) 2.4 nC @ 10 V

Vgs ±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss) 27 pF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散 350mW（Ta）

工作溫度 -55°C ~ 155°C（TJ）

等級(jí) -

資質(zhì) -

安裝類型 表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝 SOT-23-3