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HGTG11N120CND分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG11N120CND
廠商型號

HGTG11N120CND

參數屬性

HGTG11N120CND 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

功能描述

43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

110.12 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-16 19:44:00

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HGTG11N120CND規(guī)格書詳情

The HGTG11N120CND is a Non-Punch Through (NPT) IGBT design. This is a new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The IGBT used is the development type TA49291. The Diode used is the development type TA49189.

特性 Features

? 43A, 1200V, TC = 25°C

? 1200V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 340ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Thermal Impedance SPICE Model www.fairchildsemi.com

產品屬性

  • 產品編號:

    HGTG11N120CND

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,11A

  • 開關能量:

    950μJ(開),1.3mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    23ns/180ns

  • 測試條件:

    960V,11A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 43A TO247-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHIL
23+
TO247
9526
詢價
FAIRCHILD
24+
TO-264
1526
全新原裝環(huán)保
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FAIRC
1998
TO-220
1
現貨庫存/價格優(yōu)惠熱賣
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24+
TO-247-3
25000
ON全系列可訂貨
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TO-247-3
170
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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