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HGTG11N120CN分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG11N120CN
廠商型號

HGTG11N120CN

參數屬性

HGTG11N120CN 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 1200V 43A 298W TO247

功能描述

43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

138.06 Kbytes

頁面數量

7

生產廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-8-16 11:38:00

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HGTG11N120CN規(guī)格書詳情

The HGTG11N120CN, HGTP11N120CN, and HGT1S11N120CNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on state conduction loss of a bipolar transistor.

The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.

特性 Features

? 43A, 1200V, TC = 25°C

? 1200V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 340ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Avalanche Rated

? Thermal Impedance SPICE Model

Temperature Compensating SABER? Model

www.fairchildsemi.com

? Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

產品屬性

  • 產品編號:

    HGTG11N120CN

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,11A

  • 開關能量:

    400μJ(開),1.3mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    23ns/180ns

  • 測試條件:

    960V,11A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 43A 298W TO247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON/安森美
24+
TO-247(AC)
30000
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原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
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7300
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