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HGTD7N60C3S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTD7N60C3S
廠商型號

HGTD7N60C3S

參數(shù)屬性

HGTD7N60C3S 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 14A TO252AA

功能描述

14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

144.51 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

INTERSIL

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-12 16:24:00

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HGTD7N60C3S規(guī)格書詳情

The HGTD7N60C3S and HGTP7N60C3 are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25°C and 150°C.

The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as: AC and DC motor controls, power supplies and drivers for solenoids, relays and contactors.

特性 Features

? 14A, 600V at TC = 25°C

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

?

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    HGTD7N60C3S9A

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,7A

  • 開關(guān)能量:

    165μJ(開),600μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 600V 14A TO252AA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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30000
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