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HGTG10N120BN分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

HGTG10N120BN
廠商型號(hào)

HGTG10N120BN

參數(shù)屬性

HGTG10N120BN 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

功能描述

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

217.6 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-22 16:37:00

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HGTG10N120BN規(guī)格書詳情

The HGTG10N120BN, HGTP10N120BN and HGT1S10N120BNS are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low onstate conduction loss of a bipolar transistor

特性 Features

? 35A, 1200V, TC = 25oC

? 1200V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 140ns at TJ = 150°C

? Short Circuit Rating

? Low Conduction Loss

? Avalanche Rated

? Thermal Impedance SPICE Model

Temperature Compensating SABER? Model

www.fairchildsemi.com

? Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    HGTG10N120BND

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,10A

  • 開關(guān)能量:

    850μJ(開),800μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    23ns/165ns

  • 測(cè)試條件:

    960V,10A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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