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HGTD8P50G1S中文資料INTERSIL數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

HGTD8P50G1S
廠商型號(hào)

HGTD8P50G1S

功能描述

8A, 500V P-Channel IGBTs

文件大小

110.13 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

INTERSIL

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-12 22:58:00

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HGTD8P50G1S規(guī)格書詳情

描述 Description

The HGTD8P50G1 and the HGTD8P50G1S are P-channel enhancement-mode insulated gate bipolar transistors (IGBTs) designed for high voltage, low on-dissipation applications such as switching regulators and motor drives. This P- channel IGBT can be paired with N-Channel IGBTs to form a complementary power switch and it is ideal for half bridge circuit configurations. These types can be operated directly from low power integrated circuits.

特性 Features

? 8A, 500V

? 3.7V VCE(SAT)

? Typical Fall Time - 1800ns

? High Input Impedance

? TJ = +150°C

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    HGTD8P50G1S

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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