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FDMD8280數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMD8280

功能描述

Dual N-Channel Power Trench? MOSFET 80V, 40A, 8.2mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 17:01:00

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FDMD8280規(guī)格書詳情

描述 Description

該器件包括兩個 80 V N 溝道 MOSFET,采用雙 Power (3.3 mm x 5 mm) 封裝。 HS 源極和 LS 漏極內部連接實現(xiàn)半橋/全橋,低源極電感封裝、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。

特性 Features

?最大 rDS(on) = 8.2 mΩ(VGS = 10 V、ID = 11 A 時)
?最大 rDS(on) = 11 mΩ(VGS = 8 V、ID = 9.5 A 時)
?是實現(xiàn)橋式拓撲初級端靈活布局的理想選擇
?終端無引線且符合 RoHS 標準
?100% 經(jīng)過 UIL 測試
?開爾文高側 MOSFET 驅動引腳排列能力

應用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMD8280

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :40

  • PD Max (W)

    :38

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=8.2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :50

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :25

  • Ciss Typ (pF)

    :2179

  • Package Type

    :PQFN-12

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
N/A
24+
N/A
27048
原廠可訂貨,技術支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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22+
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PQFN-12(3
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