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FDMC86340ET80數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMC86340ET80

功能描述

N 溝道,屏蔽門極,PowerTrench? MOSFET,80V,68A,6.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-14 15:52:00

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FDMC86340ET80規(guī)格書詳情

描述 Description

N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的先進(jìn) PowerTrench? 工藝制造而成,該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。 該工藝經(jīng)優(yōu)化以減小導(dǎo)通電阻,卻仍保持卓越的開關(guān)性能。

特性 Features

? 屏蔽柵極 MOSFET 技術(shù)
? 最大值 rDS(on) = 6.5 mΩ(VGS = 10 V、ID = 14 A)
? 最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ(VGS = 8 V, ID = 12 A時(shí))
? 高性能技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)
?終端為無鉛產(chǎn)品
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\"

應(yīng)用 Application

? DC-DC商用電源

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMC86340ET80

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :68

  • PD Max (W)

    :65

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :6.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :31

  • Ciss Typ (pF)

    :2775

  • Package Type

    :PQFN-8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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