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FDMD82100數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

FDMD82100

功能描述

雙 N 溝道 Power Trench? MOSFET 100V,25A,19mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-13 23:01:00

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FDMD82100規(guī)格書詳情

描述 Description

該器件包括兩個 100 V N 溝道 MOSFET,采用雙 Power (3.3 mm x 5 mm) 封裝。 HS 源極和 LS 漏極內(nèi)部連接實現(xiàn)半橋/全橋,低源極電感封裝、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。

特性 Features

? 最大 rDS(on)= 19 mΩ(VGS= 10 V、ID=7 A)
? 最大 rDS(on)= 33 mΩ(VGS= 6 V、ID= 5.5 A)
? 是實現(xiàn)橋式拓撲初級端靈活布局的理想選擇
? 終端無引線且符合 RoHS 標準
? 100% 經(jīng)過 UIL 測試
? 開爾文高側(cè) MOSFET 驅(qū)動引腳排列能力

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMD82100

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :25

  • PD Max (W)

    :2.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=19

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :8

  • Ciss Typ (pF)

    :805

  • Package Type

    :PQFN-12

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON(安森美)
24+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
FAIRCHILD/仙童
2223+
POWER3.3*5
26800
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險
詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
POWER3.3*5
10000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
onsemi(安森美)
24+
PQFN-12
9908
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
詢價
ON
24+
PQFN-12
15000
原裝原標原盒 給價就出 全網(wǎng)最低
詢價
Fairchild/ON
22+
12Power3.3x5
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價
ON(安森美)
23+
PQFN-12
17739
公司只做原裝正品,假一賠十
詢價
ON Semiconductor
2022+
原廠原包裝
6800
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
詢價
ON/安森美
2447
SMD
100500
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨
詢價