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FDMD8260LET60數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書
FDMD8260LET60規(guī)格書詳情
描述 Description
該器件包括兩個 60 V N 溝道 MOSFET，采用雙 Power (3.3 mm x 5 mm) 封裝。 HS 源極和 LS 漏極內(nèi)部連接實現(xiàn)半橋/全橋，低源極電感封裝、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。
特性 Features
?TJ 額定值擴展至 175°C
? 最大 rDS(on) = 4.9 mΩ（VGS = 10 V、ID = 15 A）
? 最大 rDS(on) = 7.7 mΩ（VGS = 4.5 V、ID = 12 A）
?是實現(xiàn)橋式拓撲初級側靈活布局的理想選擇
?100% 經(jīng)過 UIL 測試
?開爾文高側 MOSFET 驅(qū)動引腳排列能力
?終端無引線且符合 RoHS 標準
應用 Application
? This product is general usage and suitable for many different applications.
技術參數(shù)
- 制造商編號
：FDMD8260LET60
- 生產(chǎn)廠家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Dual
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：15
- PD Max (W)
：44
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：Q1=Q2=8.7
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：Q1=Q2=5.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：3745
- Package Type
：PQFN-12
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3357 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN12(3.3x5) |
7350 |
現(xiàn)貨供應,當天可交貨!免費送樣,原廠技術支持!!! |
詢價 | ||
Infineon |
20+ |
原裝 |
65790 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
8-PQFN |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA |
20000 |
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | ||
Fairchild/ON |
22+ |
12Power3.3x5 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
ON |
2022+ |
PQFN-12 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ONSEMI/安森美 |
2511 |
PQFN-12 |
360000 |
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價 |
詢價 | ||
ONSEMI |
兩年內(nèi) |
N/A |
10462 |
原裝現(xiàn)貨,實單價格可談 |
詢價 |
