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FDMD8260L數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

FDMD8260L

功能描述

60 V 雙 N 溝道 PowerTrench? MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 12:00:00

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FDMD8260L規(guī)格書詳情

描述 Description

該器件包括兩個 60 V N 溝道 MOSFET,采用雙 Power (3.3 mm x 5 mm) 封裝。 HS 源極和 LS 漏極內(nèi)部連接實(shí)現(xiàn)半橋/全橋,低源極電感封裝、低 rDS(on)/Qg FOM 硅片。

特性 Features

? 最大 rDS(on) = 5.8 mΩ(VGS = 10 V、ID = 15 A)
? 最大 rDS(on) = 8.7 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 12 A)
?是實(shí)現(xiàn)橋式拓?fù)涑跫墏?cè)靈活布局的理想選擇
?100% 經(jīng)過 UIL 測試
?開爾文高側(cè) MOSFET 驅(qū)動引腳排列能力
?終端無引線且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMD8260L

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :15

  • PD Max (W)

    :37

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1=Q2=8.7

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1=Q2=5.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :25

  • Ciss Typ (pF)

    :3745

  • Package Type

    :PQFN-12

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ONSEMI/安森美
2511
PQFN-12
360000
電子元器件采購降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
3357
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
NA
20000
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
24+
N/A
73000
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價格-不悔選擇
詢價
FAIRCHILD/仙童
1511+
QFN
880000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
FAIRCHILD/仙童
23+
QFN12
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價
FAIRCHILD/仙童
2450+
QFN
8850
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
詢價
ON
24+
QFN
39500
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 支持實(shí)單價優(yōu)
詢價
Fairchild
23+
33500
詢價