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CSD18503Q5A數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD18503Q5A

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、4.3mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-13 15:57:00

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CSD18503Q5A規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 40V、3.4mΩ、5mm x 6mm SON NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。

特性 Features

? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩額定值
? 邏輯電平
? 無鉛引腳鍍層
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝

應(yīng)用 Application

直流-直流轉(zhuǎn)換
次級側(cè)同步整流
電池電機(jī)控制

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD18503Q5A

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :6.2

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :4.3

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :26

  • QGD typ (nC)

    :4.3

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :120

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

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