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CSD17559Q5數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD17559Q5

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、1.5mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-13 23:01:00

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CSD17559Q5規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 30V,0.95mΩ,5mm × 6mm SON 封裝 NexFET 功率 MOSFET 設(shè)計(jì)用于大大降低同步整流和其它功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。頂視圖 要了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 40°C/W,這是在厚度為 0.06 英寸 (1.52 mm) 的環(huán)氧板 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45 cm2),2 盎司(厚度為 0.071 mm)的銅過渡墊片上測得的典型值。最大 RθJC = 1.2°C/W,脈沖持續(xù)時間 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性 Features

? 極低電阻
? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩級
? 無鉛端子鍍層
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝

應(yīng)用 Application

網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)、電信和計(jì)算系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)同步降壓
同步整流
有源或操作(ORing)和熱插拔應(yīng)用

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD17559Q5

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :1.5

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :1.15

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :39

  • QGD typ (nC)

    :9.3

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.4

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :257

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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