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CSD17577Q3A數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD17577Q3A

功能描述

采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、6.4mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-14 11:18:00

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CSD17577Q3A規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 30V,4.0mΩ,SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中以最大程度降低電阻。頂部圖標(biāo) 要了解所有可用封裝,請見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄。 RθJA = 50°C/W,這是在一個厚度 0.06 英寸環(huán)氧樹脂 (FR4) 印刷電路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的銅焊盤上測得的典型值。最大 RθJC = 3.0°C/W,脈沖持續(xù)時間 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性 Features

? 低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩額定值
? 無鉛
? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封裝

應(yīng)用 Application

網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)、電信和計算系統(tǒng)中的負載點同步降壓
針對控制和同步FET應(yīng)用進行了優(yōu)化

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD17577Q3A

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :6.4

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :4.8

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :239

  • QG typ (nC)

    :13

  • QGD typ (nC)

    :2.8

  • Package (mm)

    :SON3x3

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.4

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :83

  • ID - package limited (A)

    :35

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI(德州儀器)
25+
N/A
6000
原裝,請咨詢
詢價
TI
24+
VSONP8
15000
全新原裝 批量現(xiàn)貨 免費提供樣品 專業(yè)為客戶提供
詢價
Texas Instruments
23+
60
原裝正品現(xiàn)貨,德為本,正為先,通天下!
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TI/德州儀器
22+
VSONP8
44595
原裝正品
詢價
TI
21+
VSON-8
1574
詢價
24+
N/A
61000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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TI
21+
VSONP8
425
全新原裝公司現(xiàn)貨
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TI/德州儀器
25+
VSONP8
880000
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TI
三年內(nèi)
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原裝正品老板王磊+13925678267
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TI(德州儀器)
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