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CSD17579Q5A數(shù)據(jù)手冊TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

CSD17579Q5A

功能描述

采用 5mm x 6mm SON 封裝的單路、13.3mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-13 23:01:00

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CSD17579Q5A規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 30V,8.4mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。

特性 Features

? 低 Qg 和 Qgd
? 低 RDS(on)
? 低熱阻
? 雪崩額定值
? 無鉛引腳鍍層
? 符合 RoHS 環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 小外形尺寸無引線 (SON) 5mm x 6mm 塑料封裝

應(yīng)用 Application

用于網(wǎng)絡(luò)互聯(lián),電信和計(jì)算系統(tǒng)的負(fù)載點(diǎn)同步降壓轉(zhuǎn)換器
針對控制場效應(yīng)晶體管(FET)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :CSD17579Q5A

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :13.3

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :9.7

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :105

  • QG typ (nC)

    :5.4

  • QGD typ (nC)

    :1.2

  • Package (mm)

    :SON5x6

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.5

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :46

  • ID - package limited (A)

    :25

  • Logic level

    :Yes

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