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CSD18502KCS數(shù)據(jù)手冊(cè)TI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

CSD18502KCS

功能描述

采用 TO-220 封裝的單路、2.9mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名稱

德州儀器 美國(guó)德州儀器公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-13 19:10:00

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CSD18502KCS規(guī)格書詳情

描述 Description

這款 2.4mΩ,40V,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被設(shè)計(jì)成在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中最大限度地降低功率損耗。要了解所有可用封裝,請(qǐng)見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購(gòu)產(chǎn)品附錄。 最大 RθJC = 0.6oC/W,脈沖持續(xù)時(shí)間 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性 Features

? 超低 Qg 和 Qgd
? 低熱阻
? 雪崩額定值
? 邏輯電平
? 無鉛端子鍍層
? 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無鹵素
? 晶體管 (TO)-220 塑料封裝

應(yīng)用 Application

直流-直流轉(zhuǎn)換
次級(jí)側(cè)同步整流器
電機(jī)控制

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :CSD18502KCS

  • 生產(chǎn)廠家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :4.3

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :2.9

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :400

  • QG typ (nC)

    :52

  • QGD typ (nC)

    :8.4

  • Package (mm)

    :TO-220

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :212

  • ID - package limited (A)

    :100

  • Logic level

    :Yes

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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