AO8814中文資料萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
AO8814 |
| 功能描述 | Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
119.06 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | AOSMD |
| 中文名稱 | 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-2 23:00:00 |
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AO8814規(guī)格書詳情
General Description
The AO8814 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a uni-directional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Standard Product AO8814is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8814L is a Green Product ordering option. AO8814 and AO8814L are electrically identical
特性 Features
VDS (V) = 20V
ID = 7.5 A (VGS = 10V)
RDS(ON) < 16m? (VGS = 10V)
RDS(ON) < 18m? (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 24m? (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 34m? (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2500V HBM
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
AO8814
- 功能描述：
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8TSSOP
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列：
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 個(gè) N 溝道（雙） FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安裝類型：
表面貼裝
- 封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
- 包裝：
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁(yè)面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
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