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AO8803L中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO8803L
廠商型號

AO8803L

功能描述

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

117.82 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

AOSMD

中文名稱

萬國半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-2 22:58:00

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AO8803L規(guī)格書詳情

General Description

The AO8803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO8803 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8803L is a Green Product ordering option. AO8803 and AO8803L are electrically identical.

特性 Features

VDS(V) = -12V

ID= -7 A (VGS= -4.5V)

RDS(ON) < 18m?(VGS= -4.5V)

RDS(ON)< 22m?(VGS= -2.5V)

RDS(ON)< 29m?(VGS= -1.8V)

ESD Rating: 4KV HBM

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO8803L

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全稱:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AOS
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