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AO8806中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

AO8806
廠商型號(hào)

AO8806

功能描述

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

231.29 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

AOSMD

中文名稱

萬國半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-2 23:01:00

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AO8806規(guī)格書詳情

General Description

The AO8806 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO8806 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

特性 Features

VDS (V) = 20V

ID = 7 A (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 22m? (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 27m? (VGS = 2.5V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    AO8806

  • 制造商:

    AOSMD

  • 制造商全稱:

    Alpha & Omega Semiconductors

  • 功能描述:

    Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
AOS/萬代
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