AO8803中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
AO8803規(guī)格書詳情
General Description
The AO8803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and
operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO8803 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8803L is a Green Product ordering option. AO8803 and AO8803L are electrically identical.
特性 Features
VDS(V) = -12V
ID= -7 A (VGS= -4.5V)
RDS(ON) < 18m?(VGS= -4.5V)
RDS(ON)< 22m?(VGS= -2.5V)
RDS(ON)< 29m?(VGS= -1.8V)
ESD Rating: 4KV HBM
產(chǎn)品屬性
- 型號:
AO8803
- 功能描述:
MOSFET DUAL P-CH -12V -7A 8TSSOP
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列:
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
8-SOIC Mosfet Package
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 個 N 溝道(雙) FET
- 特點:
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss):
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C:
3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安裝類型:
表面貼裝
- 封裝/外殼:
PowerPAK? SO-8
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝:
PowerPAK? SO-8
- 包裝:
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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AOS |
22+ |
MSOP-8 |
25000 |
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AOS/萬代 |
23+ |
TSSOP8 |
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AOS/萬代 |
23+ |
TSSOP8 |
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
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AOS/萬代 |
25+ |
TSSOP8 |
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ALPHA |
23+ |
TSSOP8 |
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現(xiàn)貨庫存 |
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ALPHA |
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TSSOP-8 |
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