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AO8801L中文資料萬國半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO8801L
廠商型號

AO8801L

功能描述

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

109.46 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

AOSMD

中文名稱

萬國半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 14:53:00

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AO8801L規(guī)格書詳情

General Description

The AO8801 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO8801 is Pb free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8801L is a Green Product ordering option. AO8801 and AO8801L are electrically identical.

特性 Features

VDS (V) = -20V

ID = -4.7 A (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 42m? (VGS = -4.5V)

RDS(ON) < 53m? (VGS = -2.5V)

RDS(ON) < 70m? (VGS = -1.8V)

ESD Rating: 3000V HBM

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Alpha & Omega Semiconductor In
22+
8TSSOP
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