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UJ3C120080K3S中文資料1200 V, 80 mohm SiC FET數(shù)據(jù)手冊Qorvo規(guī)格書
| 廠商型號 |
UJ3C120080K3S |
| 功能描述 | 1200 V, 80 mohm SiC FET |
| 制造商 | Qorvo Qorvo, Inc |
| 中文名稱 | 威訊聯(lián)合 威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-11 20:00:00 |
| 人工找貨 | UJ3C120080K3S價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
UJ3C120080K3S規(guī)格書詳情
描述 Description
Qorvo's UJ3C120080K3S 1200 V, 80 mohm RDS(on) SiC FET products co-package its high-performance Gen 3 SiC JFETs with a FET optimized MOSFET to produce the only standard gate drive SiC device in the market today. This series exhibits ultra-low gate charge, but also the best reverse recovery characteristics of any device of similar ratings. Available in the TO-247-3L package, these devices are excellent for switching inductive loads, and any application requiring standard gate drive.
特性 Features
? On-resistance RDS(on): 80 mohm (typ)
? Maximum operating temperature: 175 °C
? Excellent reverse recovery
? Low gate charge
? Low intrinsic capacitance
? ESD protected, HBM class 2
應(yīng)用 Application
? EV Charging
? PV Inverters
? Switched-Mode Power Supplies
? Power Factor Correction Modules
? Motor Drives
? Induction Heating
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號
：UJ3C120080K3S
- 生產(chǎn)廠家
：Qorvo
- RDS(on) 典型值 @ 25C(mohm)
：80
- ID 最大值(A)
：33
- 代
：Gen 3
- Tj 最大值(°C)
：175
- 車規(guī)級認(rèn)證
：Yes
- 封裝類型
：TO-247-3L
- RoHS
：Yes
- Lead Free
：Yes
- Halogen Free
：Yes
- ITAR Restricted
：No
- ECCN
：EAR99
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
USCI |
22+ |
TO-247 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價(jià) | ||
N/A |
24+ |
N/A |
91048 |
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道?？珊灡９┖贤?/div> |
詢價(jià) | ||
USCI |
兩年內(nèi) |
NA |
9886 |
實(shí)單價(jià)格可談 |
詢價(jià) | ||
Qorvo |
25+ |
TO-220-2 |
9350 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
QORVO |
24+ |
N/A |
1467 |
原裝原裝原裝 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
82000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) |
