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UJ3C065030K3S中文資料650 V, 27 mohm SiC FET數(shù)據(jù)手冊Qorvo規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

UJ3C065030K3S

功能描述

650 V, 27 mohm SiC FET

制造商

Qorvo Qorvo, Inc

中文名稱

威訊聯(lián)合 威訊聯(lián)合半導體(德州)有限公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-11 20:00:00

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UJ3C065030K3S規(guī)格書詳情

描述 Description

Qorvo's UJ3C065030K3S 650 V, 27 mohm RDS(on) SiC FET products co-package its high-performance Gen 3 SiC JFETs with a FET optimized MOSFET to produce the only standard gate drive SiC device in the market today. Available in the TO-247-3L package, this device exhibits ultra-low gate charge, but also the best reverse recovery characteristics of any device of similar ratings. These devices are excellent for switching inductive loads, and any application requiring standard gate drive.

特性 Features

? On-resistance (RDS(on)): 27 mohm (typ)
? Maximum operating temperature: 175 °C
? Excellent reverse recovery
? Low gate charge
? Low intrinsic capacitance
? ESD protected, HBM class 2

應(yīng)用 Application

? EV Charging
? PV Inverters
? Switched-Mode Power Supplies
? Power Factor Correction Modules
? Motor Drives
? Induction Heating

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :UJ3C065030K3S

  • 生產(chǎn)廠家

    :Qorvo

  • RDS(on) 典型值 @ 25C(mohm)

    :27

  • ID 最大值(A)

    :85

  • :Gen 3

  • Tj 最大值(°C)

    :175

  • 車規(guī)級認證

    :Yes

  • 封裝類型

    :TO-247-3L

  • RoHS

    :Yes

  • Lead Free

    :Yes

  • Halogen Free

    :Yes

  • ITAR Restricted

    :No

  • ECCN

    :EAR99

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
USCI
22+
TO-247
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
USCI
兩年內(nèi)
NA
9886
實單價格可談
詢價
USCI
2023+
TO-247
1000
專注全新正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價
USCI
20+
TO-247
15
現(xiàn)貨很近!原廠很遠!只做原裝
詢價
Qorvo
25+
TO-220-2
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
詢價
QORVO
24+
N/A
1467
原裝原裝原裝
詢價
USIC
25+
30000
原裝現(xiàn)貨,支持實單
詢價
USCI
2022+
TO-247
15
原廠代理 終端免費提供樣品
詢價
USCI
24+
TO247-3
60000
詢價
USCI
23+
TO-247
6800
原裝正品,支持實單
詢價