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UF3C120080K3S數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

UF3C120080K3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Cascode JFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200V, TO-247-3L

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-24 13:01:00

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UF3C120080K3S規(guī)格書詳情

描述 Description

EliteSiC Cascode JFETs combine a normally-on SiC JFET with a Si MOSFET to create a normally-off device in a cascode circuit configuration, offering superior switching performance and reliability. Benefits include high efficiency, faster frequency, increased power density, reduced EMI, and smaller system size. These devices support standard gate drivers, simplifying the replacement of Si IGBTs and superjunction devices. Ideal for switching inductive loads

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原廠原裝,假一罰十
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