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UF3C120040K4S數(shù)據(jù)手冊(cè)Qorvo中文資料規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
UF3C120040K4S |
| 功能描述 | 1200 V, 35 mohm SiC FET |
| 制造商 | Qorvo Qorvo, Inc |
| 中文名稱 | 威訊聯(lián)合 威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-24 20:42:00 |
| 人工找貨 | UF3C120040K4S價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
UF3C120040K4S規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
Qorvo's UF3C120040K4S is a 1200 V, 35 mohm RDS(on) cascode SiC FET products co-package its high-performance Gen 3 SiC fast JFETs with a FET optimized MOSFET to produce the only standard gate drive SiC device in the market today. This series exhibits very fast switching using a 4-terminal TO-247 package and the best reverse recovery characteristics of any device of similar ratings. These devices are excellent for switching inductive loads, and any application requiring standard gate drive.
特性 Features
? On-resistance (RDS(on)): 35 mohm (typ)
? Maximum operating temperature: 175 °C
? Excellent reverse recovery
? Low gate charge
? Low intrinsic capacitance
? ESD protected, HBM class 2
應(yīng)用 Application
? EV Charging
? PV Inverters
? Switched-Mode Power Supplies
? Power Factor Correction Modules
? Motor Drives
? Induction Heating
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：UF3C120040K4S
- 生產(chǎn)廠家
：Qorvo
- RDS(on) 典型值 @ 25C(mohm)
：35
- ID 最大值(A)
：65
- 代
：Gen 3
- Tj 最大值(°C)
：175
- 車規(guī)級(jí)認(rèn)證
：Yes
- 封裝類型
：TO-247-4L
- RoHS
：Yes
- Lead Free
：Yes
- Halogen Free
：Yes
- ITAR Restricted
：No
- ECCN
：EAR99
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUNON風(fēng)機(jī) |
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