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UF3C065080B3數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF
| 廠商型號(hào) |
UF3C065080B3 |
| 參數(shù)屬性 | UF3C065080B3 封裝/外殼為T(mén)O-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 650V 25A TO263 |
| 功能描述 | 650 V, 80 mohm SiC FET |
| 封裝外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | Qorvo Qorvo, Inc |
| 中文名稱 | 威訊聯(lián)合 威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-24 20:42:00 |
| 人工找貨 | UF3C065080B3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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描述 Description
Qorvo's UF3C065080B3 650 V, 80 mohm RDS(on) SiC FET device is based on a unique cascode circuit configuration, in which a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The device's standard gate-drive characteristics allows use of off-the-shelf gate drivers hence requiring minimal re-design when replacing Si IGBTs, Si superjunction devices or SiC MOSFETs. Available in the D2PAK-3L package, this device exhibits ultra low gate charge and exceptional reverse recovery characteristics, making it ideal for switching inductive loads when used with recommended RC-snubbers, and any application requiring standard gate drive.
特性 Features
? On-resistance (RDS(on)): 80 mohm (typ)
? Maximum operating temperature: 175 °C
? Excellent reverse recovery
? Low gate charge
? Low intrinsic capacitance
? ESD protected, HBM class 2
應(yīng)用 Application
? EV Charging
? PV Inverters
? Switched-Mode Power Supplies
? Power Factor Correction Modules
? Motor Drives
? Induction Heating
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：UF3C065080B3
- 生產(chǎn)廠家
：Qorvo
- V
：650
- RDS(on) typ(mΩ)
：80
- ID Max (A)
：25
- Lifecycle
：Production
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUNON風(fēng)機(jī) |
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詢價(jià) | ||
SUNON風(fēng)機(jī) |
2018+ |
550 |
詢價(jià) | ||||
Qorvo |
ROHS, |
原封 |
1786 |
:MOSFET 1200V/80mO,SICFET,G3,TO263-7 |
詢價(jià) |
