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UF3C120080B7S數(shù)據(jù)手冊(cè)Qorvo中文資料規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
UF3C120080B7S |
| 功能描述 | 1200 V, 85 mohm SiC FET |
| 制造商 | Qorvo Qorvo, Inc |
| 中文名稱 | 威訊聯(lián)合 威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-24 20:42:00 |
| 人工找貨 | UF3C120080B7S價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
UF3C120080B7S規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
Qorvo's UF3C120080B7S 1200 V, 85 mohm SiC FET device is based on a unique cascode circuit configuration, in which a normally-on SiC JFET is co-packaged with a Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The device's standard gate-drive characteristics allows use of off-the-shelf gate drivers hence requiring minimal re-design when replacing Si IGBTs, Si superjunction devices or SiC MOSFETs. Available in the D2PAK-7L package, this device exhibits ultralow gate charge and exceptional reverse recovery characteristics, making it ideal for switching inductive loads , and any application requiring standard gate drive.
特性 Features
? On-resistance RDS(on): 85 mohm (typ)
? Maximum operating temperature: 175 °C
? Excellent reverse recovery: Qrr = 140 nC
? Low body diode VFSD: 1.5 V
? Low gate charge: QG = 23 nC
? Threshold voltage VG(th): 4.8 V (typ) allowing 0 to 15 V drive
應(yīng)用 Application
? Telecom and Server Power
? Industrial Power Supplies
? Power Factor Correction Modules
? Motor Drives
? Induction Heating
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：UF3C120080B7S
- 生產(chǎn)廠家
：Qorvo
- RDS(on) 典型值 @ 25C(mohm)
：85
- ID 最大值(A)
：28.8
- 代
：Gen 3
- Tj 最大值(°C)
：175
- 車規(guī)級(jí)認(rèn)證
：No
- 封裝類型
：D2PAK-7L
- RoHS
：Yes
- Lead Free
：Yes
- Halogen Free
：Yes
- ITAR Restricted
：No
- ECCN
：EAR99
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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