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TW083N65CS1F中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
TW083N65CS1F |
功能描述 | MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS |
文件大小 |
850.46 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
中文名稱 | 株式會(huì)社東芝官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-8-2 12:47:00 |
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TW083N65CS1F規(guī)格書詳情
特性 Features
(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)
(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)
(3) High voltage: VDSS = 650 V
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 83 m
? (typ.)
(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, I
D = 0.6 mA)
(6) Enhancement mode.
Applications
? Switching Voltage Regulators
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SAMTEC/申泰 |
2450+ |
18PIN |
8540 |
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詢價(jià) | ||
SAMTEC/申泰 |
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SAMTEC/申泰 |
2022+ |
18PIN |
1000 |
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詢價(jià) | ||
SAMTEC/申泰 |
2018+ |
18PIN |
1000 |
詢價(jià) | |||
APEM Components |
2022+ |
1 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
SAMTEC |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
2025+ |
12420 |
詢價(jià) | ||||
APEMComponents |
新 |
5 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
APEM |
20+ |
開關(guān)元件 |
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詢價(jià) |