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TW070J120B中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
TW070J120B |
| 功能描述 | Silicon Carbide N-Channel MOS |
| 文件大小 |
512.08 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
10 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | TOSHIBA |
| 中文名稱 | 東芝 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-5 17:55:00 |
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1. Applications
? Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Chip design of 2nd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)
(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)
(3) High voltage: VDSS = 1200 V
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 70 mΩ (typ.)
(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 4.2 to 5.8 V (VDS = 10 V, ID = 20 mA)
(6) Enhancement mode.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
天微 |
23+ |
SOT23-6 |
68500 |
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