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TW060N120C中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
TW060N120C |
| 功能描述 | MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS |
| 文件大小 |
521.78 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | TOSHIBA |
| 中文名稱 | 東芝 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-5 17:55:00 |
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TW060N120C規(guī)格書詳情
特性 Features
(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)
(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)
(3) High voltage: VDSS = 1200 V
(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 60 m
? (typ.)
(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, I
D = 4.2 mA)
(6) Enhancement mode.
Applications
? Switching Voltage Regulators
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TST |
23+ |
SMD |
56000 |
TST全系列在售,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
MURATA/村田 |
18+ |
PTH |
12500 |
全新原裝正品,本司專業(yè)配單,大單小單都配 |
詢價(jià) | ||
TST |
23+ |
SMD |
25000 |
專業(yè)配單,原裝正品假一罰十,代理渠道價(jià)格優(yōu) |
詢價(jià) | ||
SAMTEC |
新 |
5113 |
全新原裝 貨期兩周 |
詢價(jià) | |||
N/A |
24+ |
DIP-8 |
130 |
詢價(jià) | |||
SAMTEC/申泰 |
2450+ |
12PIN |
8540 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
Toshiba |
23+ |
TO-247 |
3268 |
SIC芯片新能源供應(yīng)全新正品 |
詢價(jià) | ||
SAMTEC/申泰 |
23+ |
11200 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | |||
Toshiba |
2025+ |
TO-247-3 |
12420 |
詢價(jià) | |||
SAMTEC/申泰 |
2018+ |
14PIN |
600 |
詢價(jià) |
