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TW060N120CS1F中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

TW060N120CS1F
廠商型號

TW060N120CS1F

功能描述

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

文件大小

521.78 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 17:55:00

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TW060N120CS1F規(guī)格書詳情

特性 Features

(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)

(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)

(3) High voltage: VDSS = 1200 V

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 60 m

? (typ.)

(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, I

D = 4.2 mA)

(6) Enhancement mode.

Applications

? Switching Voltage Regulators

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TST
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SMD
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TST全系列在售,支持實單
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