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TW048N65C中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

TW048N65C
廠商型號(hào)

TW048N65C

功能描述

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

文件大小

521.419 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TOSHIBA

中文名稱

東芝

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-5 16:44:00

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TW048N65C規(guī)格書(shū)詳情

特性 Features

(1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode)

(2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.)

(3) High voltage: VDSS = 650 V

(4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 48 m

? (typ.)

(5) Less susceptible to malfunction due to high threshold voltage: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, I

D = 1.6 mA)

(6) Enhancement mode.

Applications

? Switching Voltage Regulators

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
SAMTEC/申泰
2022+
NA
10000
只做原裝,價(jià)格優(yōu)惠,長(zhǎng)期供貨。
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SAMTEC/申泰
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27950
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨
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2450+
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只做原廠原裝正品終端客戶免費(fèi)申請(qǐng)樣品
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TOSHIBA
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現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格
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SIC芯片新能源供應(yīng)全新正品
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2025+
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