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STGWA45HF60WDI分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWA45HF60WDI
廠商型號

STGWA45HF60WDI

參數(shù)屬性

STGWA45HF60WDI 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 80A 310W TO247

功能描述

45 A, 600 V ultra fast IGBT with low drop diode
IGBT 600V 80A 310W TO247

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

499.07 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-2 23:01:00

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STGWA45HF60WDI規(guī)格書詳情

STGWA45HF60WDI屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWA45HF60WDI晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

描述 Description

The STGW45HF60WDI is based on a new advanced planar technology concept to yield an IGBT with more stable switching performance (Eoff) versus temperature, as well as lower conduction losses. The device is tailored to high switching frequency operation (over 100 kHz).

特性 Features

■ Improved Eoff at elevated temperature

■ Low VF soft recovery antiparallel diode

Applications

■ Welding

■ Induction heating

■ Resonant converters

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGWA45HF60WDI

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    330μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    -/145ns

  • 測試條件:

    400V,30A,4.7 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 600V 80A 310W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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