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STGWA35HF60WDI分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGWA35HF60WDI |
| 參數(shù)屬性 | STGWA35HF60WDI 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 70A 260W TO247 |
| 功能描述 | 35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | TO-247 / TO-247-3 |
| 文件大小 |
1.05555 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-2 18:19:00 |
| 人工找貨 | STGWA35HF60WDI價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STGWA35HF60WDI規(guī)格書詳情
STGWA35HF60WDI屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWA35HF60WDI晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
描述 Description
This ultrafast IGBT is developed using a new
planar technology to yield a device with tighter
switching energy variation (Eoff) versus
temperature. The suffix W denotes a subset of
products designed for high switching frequency
operation (over 100 kHz).
特性 Features
■ Improved Eoff at elevated temperature
■ Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction
susceptibility)
■ Low VF soft recovery antiparallel diode
Applications
■ Welding
■ Induction heating
■ Resonant converters
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGWA35HF60WDI
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
- 開關(guān)能量：
185μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
30ns/175ns
- 測試條件：
390V，20A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247 長引線
- 描述：
IGBT 600V 70A 260W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
21+ |
TO-247-3 |
1200 |
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ST/意法 |
24+ |
TO-247-3 |
1200 |
原裝現(xiàn)貨,專業(yè)配單專家 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
25+ |
原廠封裝 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
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ST/意法半導(dǎo)體 |
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TO-247-3 |
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