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STGWA25S120DF3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWA25S120DF3
廠商型號

STGWA25S120DF3

參數(shù)屬性

STGWA25S120DF3 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 25A TO247-3L

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, S series 1200 V, 25 A low drop
IGBT 1200V 25A TO247-3L

絲印標(biāo)識

G25S120DF3

封裝外殼

TO-247 / TO-247-3

文件大小

703.28 Kbytes

頁面數(shù)量

18

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 20:25:00

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STGWA25S120DF3規(guī)格書詳情

STGWA25S120DF3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGWA25S120DF3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

描述 Description

This device is an IGBT developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. The device is part of the S series of

1200 V IGBTs which is tailored to maximize

efficiency of low frequency industrial systems.

Furthermore, a positive VCE(sat) temperature

coefficient and tight parameter distribution result

in safer paralleling operation.

特性 Features

? 10 μs of short-circuit withstand time

? VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 25 A

? Tight parameter distribution

? Safer paralleling

? Low thermal resistance

? Soft and fast recovery antiparallel diode

Applications

? Industrial drives

? UPS

? Solar

? Welding

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGWA25S120DF3

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    830μJ(開),2.37mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    31ns/147ns

  • 測試條件:

    600V,25A,15歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 25A TO247-3L

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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