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STGWA30H60DFB分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGWA30H60DFB
廠商型號

STGWA30H60DFB

參數屬性

STGWA30H60DFB 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
IGBT

絲印標識

GWA30H60DFB

封裝外殼

TO-247 / TO-247-3

文件大小

1.43779 Mbytes

頁面數量

20

生產廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導體

網址

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數據手冊

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更新時間

2025-9-2 23:00:00

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STGWA30H60DFB規(guī)格書詳情

STGWA30H60DFB屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGWA30H60DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

描述 Description

These devices are IGBTs developed using an

advanced proprietary trench gate field-stop

structure. These devices are part of the new HB

series of IGBTs, which represent an optimum

compromise between conduction and switching

loss to maximize the efficiency of any frequency

converter. Furthermore, the slightly positive

VCE(sat) temperature coefficient and very tight

parameter distribution result in safer paralleling

operation.

特性 Features

? Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

? High speed switching series

? Minimized tail current

? VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A

? Tight parameters distribution

? Safe paralleling

? Low thermal resistance

? Very fast soft recovery antiparallel diode

Applications

? Photovoltaic inverters

? High frequency converters

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGWA30H60DFB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    HB

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    383μJ(開),293μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    37ns/146ns

  • 測試條件:

    400V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-247 長引線

  • 描述:

    IGBT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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