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STGW80V60DF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
STGW80V60DF |
參數(shù)屬性 | STGW80V60DF 封裝/外殼為TO-247-3 裸露焊盤;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 120A 469W TO247 |
功能描述 | Low thermal resistance |
封裝外殼 | TO-247-3 裸露焊盤 |
文件大小 |
1.60316 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-7 23:00:00 |
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STGW80V60DF規(guī)格書詳情
STGW80V60DF屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGW80V60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
STGW80V60DF
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.3V @ 15V,80A
- 開關(guān)能量:
1.8mJ(開),1mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
60ns/220ns
- 測試條件:
400V,80A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3 裸露焊盤
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247
- 描述:
IGBT 600V 120A 469W TO247
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
24+ |
TO-247 |
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詢價(jià) | ||
ST/意法 |
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NA/ |
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詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO247-3 |
12700 |
買原裝認(rèn)準(zhǔn)中賽美 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
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TO-247 |
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ST |
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TO-247 |
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ST |
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ST |
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TO-247 |
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ST |
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