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STGWA30N120KD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
STGWA30N120KD |
參數(shù)屬性 | STGWA30N120KD 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 60A 220W TO247 |
功能描述 | 30 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | TO-247 / TO-247-3 |
文件大小 |
423.46 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-3 17:01:00 |
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STGWA30N120KD規(guī)格書詳情
STGWA30N120KD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGWA30N120KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
特性 Features
■ Low on-losses
■ High current capability
■ Low gate charge
■ Short circuit withstand time 10 μs
■ IGBT co-packaged with Ultrafast free-wheeling
diode
Applications
■ Motor control
描述 Description
This high voltage and short-circuit rugged IGBT
utilizes the advanced PowerMESH? process
resulting in an excellent trade-off between
switching performance and low ON-state
behavior.
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
STGWA30N120KD
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
3.85V @ 15V,20A
- 開關(guān)能量:
2.4mJ(開),4.3mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
36ns/251ns
- 測(cè)試條件:
960V,20A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 125°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247
- 描述:
IGBT 1200V 60A 220W TO247
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
21+ |
TO-247 |
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ST/意法 |
22+ |
SMD |
30000 |
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ST全系列 |
25+23+ |
TO-247 |
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ST/意法 |
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ST/意法 |
23+ |
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