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STGP15M65DF2數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF

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廠商型號

STGP15M65DF2

參數(shù)屬性

STGP15M65DF2 封裝/外殼為TO-220-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

功能描述

650 V、15 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

封裝外殼

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán)

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-9-5 18:46:00

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STGP15M65DF2規(guī)格書詳情

描述 Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series of IGBTs, which represents an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low loss and short-circuit capability are essential. Furthermore, a positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

特性 Features

? 6 μs of short-circuit withstand time
? VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 15 A
? Tight parameter distribution
? Safer paralleling
? Low thermal resistance
? Soft and very fast recovery antiparallel diode

簡介

STGP15M65DF2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的STGP15M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :STGP15M65DF2

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • Package

    :TO-220AB

  • Grade

    :Industrial

  • VCES_max(V)

    :650

  • PTOT_max(W)

    :136

  • Freewheeling diode

    :true

  • IC_max(@ Tc=100°C)(A)

    :15

  • IC_max(@ Tc=25°C)(A)

    :30

  • IF_max(@ Tc=100°C)(A)

    :15

  • IF_max(@ Tc=25°C)(A)

    :30

  • VCE(sat)_typ(V)

    :1.55

  • VF_typ(V)

    :1.7

  • Qg_typ(nC)

    :45

  • Eon_typ(mJ)

    :0.09

  • Eoff_typ(mJ)

    :0.45

  • Err_typ(μJ)

    :64

  • Qrr_typ(nC)

    :525

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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