首頁(yè)>SIA907EDJ-T4-GE3>規(guī)格書詳情
SIA907EDJ-T4-GE3數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
SIA907EDJ-T4-GE3 |
| 參數(shù)屬性 | SIA907EDJ-T4-GE3 包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 30V SMD |
| 功能描述 | MOSFET N-CH 30V SMD |
| 制造商 | Vishay Vishay Siliconix |
| 中文名稱 | 威世科技 威世科技半導(dǎo)體 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-18 10:39:00 |
| 人工找貨 | SIA907EDJ-T4-GE3價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
SIA907EDJ-T4-GE3規(guī)格書詳情
簡(jiǎn)介
SIA907EDJ-T4-GE3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由制造生產(chǎn)的SIA907EDJ-T4-GE3晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場(chǎng)控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時(shí)使用兩者。場(chǎng)效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號(hào)
：SIA907EDJ-T4-GE3
- 生產(chǎn)廠家
：Vishay
- FET 功能
：-
- 漏源電壓（Vdss）
：-
- 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
：-
- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
：-
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
：-
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）
：-
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）
：-
- 功率 - 最大值
：-
- 工作溫度
：-
- 安裝類型
：-
- 封裝/外殼
：-
- 供應(yīng)商器件封裝
：-
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2511 |
DFN2x2 |
360000 |
電子元器件采購(gòu)降本 30%!盈慧通原廠直采,砍掉中間差價(jià) |
詢價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
22+ |
PowerPAK? SC706 Dual |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
19+ |
PowerPAKS |
200000 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
PowerPAKS |
94000 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
24+ |
QFN |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
VISHAY/威世通 |
21+ |
PowerPAKSC |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
VISHAY |
2016+ |
QFN6 |
3500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
72000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
VISHAY |
24+ |
PowerPAKSC |
3200 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
QFN2X2 |
986966 |
國(guó)產(chǎn) |
詢價(jià) |
