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SIA907EDJ-T1-GE3數(shù)據(jù)手冊分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF

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廠商型號

SIA907EDJ-T1-GE3

參數(shù)屬性

SIA907EDJ-T1-GE3 包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 30V SMD

功能描述

MOSFET N-CH 30V SMD

制造商

Vishay Vishay Siliconix

中文名稱

威世科技 威世科技半導體

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-18 18:16:00

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SIA907EDJ-T1-GE3規(guī)格書詳情

簡介

SIA907EDJ-T1-GE3屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由制造生產(chǎn)的SIA907EDJ-T1-GE3晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導率。FET 也稱為單極型晶體管,因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時使用兩者。場效應晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :SIA907EDJ-T1-GE3

  • 生產(chǎn)廠家

    :Vishay

  • FET 功能

    :-

  • 漏源電壓(Vdss)

    :-

  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)

    :-

  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)

    :-

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)

    :-

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)

    :-

  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)

    :-

  • 功率 - 最大值

    :-

  • 工作溫度

    :-

  • 安裝類型

    :-

  • 封裝/外殼

    :-

  • 供應商器件封裝

    :-

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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